【光子芯片材料】光子芯片用可编程光子新材料 将良率提升超4倍

2020-05-05 - 光子芯片

这项研究项目的负责人Oded Raz表示,这是第一个可编程的光子电路,研发人员可以对光子材料本身进行编程和重新设置,并且它不需要任何电力还保持自身的编程状态。在研究人员们看来,基于新型可编程材料的可重编程光子电路,将在一定程度上帮助工程师加速开发光子器件。

光子芯片材料

电子集成电路(IC)是如今许多新技术发展和成熟的关键之一。但还有一种叫光子集成电路(PIC)的半导体技术,它是一种基于晶态半导体晶圆,集成有源和无源光子电路,以及单个微芯片上的电子元件,具有低能耗和高运行速度等性能优势。

光子芯片材料

但不足的是,目前PIC的制造方法存在大量的可变性,因此许多生产出来的光子器件与实际所需的规格有着轻微偏差,从而也限制了产量。而解决该问题的一个潜在方法,是开发可重新配置或可编程的PIC,以帮助补偿制造过程中产生的任何细微变化。

光子芯片材料

据了解,可重构PIC的关键组成部分是一种光学材料,这种材料的折射率可以在两种或以上的状态之间调整。然而,长期以来研究人员考察的许多可切换的光学材料,需要持续加热,这意味着它们需要一个恒定的电源和复杂系统来控制这些热量,并且切换时,其他材料的信号损耗会进一步降低性能。埃因霍芬理工大学的研究人员表示,他们发现的可转换光学材料,能够避免制造过程中可变性,以及切换性能损耗等不足。

具体地说,这种材料名叫氢化非晶硅,目前主要用于薄膜硅太阳能电池。研究人员在一个被称为"Staebler-Wronski效应"的研究中发现,光或热会改变氢化非晶硅的光学和电学性质,但当它在黑暗中缓慢冷却后,可以恢复一部分光学性质。其实这一效应在薄膜硅太阳能电池中是不可取的,但研究人员们推断,可重构PIC也许可以利用这个特点来弥补切换过程中的性能损耗。

为了验证推断,研究人员们将一层薄薄的氢化非晶硅,在近红外激光中浸泡了100小时以上,然后将它放置在黑暗中缓慢冷却4个小时。在这一过程中他们发现,近红外激光可以使材料的折射率增加0.3%,同时冷却可以将折射率降低0.3%,实现逆转。同时,这一变化产生的原因是由于光和热导致的材料体积膨胀。

紧接着,研究人员利用氢化非晶硅的微观环(microscopic rings),开发了可重新配置的光学开关。他们发现,光学开关能够可逆地改变这些器件的折射率,而不增加光学损耗。此外,在氢化非晶硅独立膜的实验中,研究人员还发现这些程序化状态具有长期稳定性,每种状态可至少持续一个月。Oded Raz谈到,目前行业中有人认为0.3%的折射率变化非常小,光靠这一点无法解决光子器件的所有问题。

但他指出,上世纪80年代有很多关于如何逆转Staebler-Wronski效应的研究。"我们可以逆向利用所有关于如何减小效应的见解,进一步放大这些效应,并作出更快的响应。"Oded Raz说。此外,未来像非晶硅锗或非晶硅碳等类似的材料,可能会有研究表明它们比氢化非晶硅更擅长进行能量转换。

在Oded Raz看来,如果未来的研究能够增强转换效应的强度,那么PIC的产量也将得到显著提高。他认为,以前的基本光子元件良率可能在10%到20%之间,而可编程光学材料可将良率提高到50%至80%。与此同时,产量的提高可反过来减少光子器件的生产制作时间。目前PIC从概念到制造这一过程,可能需要6至9个月的时间,并且由于制造过程存在的可变性,最终产品有可能无法达到研究人员期望的效果。

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